رشد درایوهای SSD در سال های اخیر قابل تحسین بوده است. چندین برتری مهم آنها به نسبت هارددیسک ها، باعث شده است تا آینده را در دستان درایوهای اس اس دی ببینیم.اما از آنجایی که هیچ چیز کامل نیست، قطعا این تکنولوژی هم بدون عیب نخواهد بود. در ساختار درایوهای اس اس دی از IC ها NAND استفاده میگردد. ساختار NAND بسیار پیچیده و خارج از حوصله این مطلب است اما اشاره کوچکی به دلیل بروز مشکل آن میکنیم. در حافظه های NAND از ترانزیستورهای FET استفاده شده است. اطلاعات با استفاده از بارهای الکترونی،برای تائید 0 و 1 شناخته و ثبت میگردند. مشکل اصلی لایه های عایق و به دام انداز الکترون ها است که پس از مدتی فرسوده شده و در نهایت باعث می شود که یک سلول از کار افتاده و یا دقت آن از بین برود.

در واقع مشکل فرسودگی NAND بزرگترین چالش پیش روی درایوهای اس اس دی است. البته لازم به ذکر است که فقط IC های NAND گرفتار این مشکل نیستند. در بسیاری از قطعات الکترونیکی نیمه هادی که از جهش های سریع یونی استفاده میشود، خطر خرابی زودرس وجود دارد. اما کمپانی Nantero شیوه جدید برای ساخت IC های نیمه هادی یافته است که بتواند عمر بیشتری از NAND داشته باشد. نام IC های جدید NRAM است. این IC ها از نانو لوله های کربنی ساخته شده اند و دارای سلول هایی به شکل لوله هستند. این لوله های به شکلی نزدیک بهم قرار گرفته اند که با ایجاد جریانی کم، می توان بین این لوله ها مقاومت الکترونیکی به صورت کم و زیاد درست کرد و از سوئیچ مداوم این عمل کدهای 0/1 ساخته میشود. نانو لوله ها از مقاوت بالایی برخوردار هستند که باعث می شود توانایی بالایی در عمل چرخش خواندن/نوشتن به دست بیاورند.به زبان ساده تر دارای عمر بیشتری برای استفاده هستند.با ورود این فناوری به بازار، قطعا تاثیر آشکاری در بازار درایوهای اس اس دی پدید خواهد آمد.

منبع